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昭和电工株式会社远藤大三获国家专利权

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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利磁传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114660514B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111376018.8,技术领域涉及:G01R33/09;该发明授权磁传感器是由远藤大三;富田浩幸设计研发完成,并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

磁传感器在说明书摘要公布了:本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为,磁传感器200具备:通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件10;和与感应元件10相对地设置的集束构件20,所述集束构件20由软磁体构成,并且使来自外部的磁力线集束于感应元件10。

本发明授权磁传感器在权利要求书中公布了:1.磁传感器,其具备: 感应元件,其在基板上设有感应电路,利用该感应电路通过磁阻抗效应来感应磁场; 与所述感应元件相对地设置的集束构件,所述集束构件是与所述感应元件不同的构件,所述集束构件由软磁体构成,并且使来自外部的磁力线集束于所述感应元件; 发散构件,所述发散构件是与所述感应元件及所述集束构件不同的构件,所述发散构件以从同所述集束构件相对一侧的相反侧与所述感应元件相对的方式设置,所述发散构件由软磁体构成,并且使透过了所述感应元件的磁力线向外部发散;和 偏置磁场施加构件,所述偏置磁场施加构件与所述集束构件和所述发散构件中的任意一者接触、与该集束构件和该发散构件中的任意另一者不接触,介由所述集束构件和所述发散构件而对所述感应元件施加偏置磁场, 所述集束构件具备:与所述感应元件相对的相对部;和宽幅部,所述集束构件的宽幅部设置于磁力线从外部进入的一侧,并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述集束构件的相对部大,所述宽幅部向所述集束构件的相对部的两侧伸出; 所述发散构件具备:与所述感应元件相对的相对部;和宽幅部,所述发散构件的宽幅部设置于磁力线向外部发出的一侧,并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述发散构件的相对部向两侧扩大, 所述偏置磁场施加构件与所述集束构件的宽幅部中向该集束构件的相对部的一侧扩大的部分、所述发散构件的宽幅部中向该发散构件的相对部的一侧扩大的部分中的任意一者接触,与所述集束构件的宽幅部中向该集束构件的相对部的一侧扩大的部分、所述发散构件的宽幅部中向该发散构件的相对部的一侧扩大的部分中的任意另一者相对。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昭和电工株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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