微软技术许可有限责任公司G·W·温克勒获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利半导体-超导体混合器件、其制造和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074202.4，技术领域涉及：H10N60/84；该发明授权半导体-超导体混合器件、其制造和用途是由G·W·温克勒;R·M·卢钦;G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;S·V·格罗尼恩;M·J·曼弗拉;F·卡里米设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体-超导体混合器件、其制造和用途在说明书摘要公布了：半导体‑超导体混合器件200包括半导体10、超导体18以及在超导体和半导体之间的势垒14。该器件被配置为使得实现在半导体和超导体之间的能级杂化。势垒被配置为增加器件的拓扑间隙。势垒允许控制半导体和超导体之间的杂化程度。另外的方面提供了一种包括该器件的量子计算机、一种制造该器件的方法以及一种在该器件中诱发拓扑行为的方法。
本发明授权半导体-超导体混合器件、其制造和用途在权利要求书中公布了：1.一种半导体-超导体混合器件，包括： 半导体； 超导体； 在所述超导体与所述半导体之间的势垒，其中所述器件被配置为能够实现在所述半导体和所述超导体之间的能级杂化，并且所述势垒被配置为增加所述器件的拓扑间隙； 栅电极，所述栅电极被配置为向所述半导体施加静电场；以及 在所述势垒和所述超导体和之间的铁磁绝缘体层。
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