北京忆芯科技有限公司王祎磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京忆芯科技有限公司申请的专利编程命令处理方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114510435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210139001.9，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权编程命令处理方法与装置是由王祎磊;伍德斌设计研发完成，并于2017-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本编程命令处理方法与装置在说明书摘要公布了：本申请提供了编程命令处理方法与装置。提供的处理编程命令的方法，包括：将地址发送给NVM芯片，将存储器中的数据搬移到NVM芯片；在NVM芯片指示数据被成功记录在所述地址前，释放存储器中的所述数据；以及查询NVM芯片的状态，以得到编程命令的处理结果，响应于NVM芯片的状态指示编程命令处理失败，将部分编程命令发送给NVM芯片，以指示NVM芯片对页缓存中数据进行编程。
本发明授权编程命令处理方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种固态存储设备的控制部件处理要发送给NVM芯片的编程命令的方法，所述控制部件包括SRAM，所述控制部件耦合到多个NVM芯片和DRAM，所述DRAM在所述NVM芯片的外部，其中，NVM芯片包括页缓存，其特征在于，所述方法包括： 将地址发送给NVM芯片，将所述SRAM中的数据搬移到NVM芯片；其中，NVM芯片收到所述数据并存储到页缓存中；响应于识别出数据传输完成并指示开始编程操作，NVM芯片将页缓存中的数据写入控制部件提供的所述地址； 响应于将所述SRAM中的数据搬移到NVM芯片，将所述数据搬移到所述DRAM，以在所述DRAM中备份所述数据，以及释放所述SRAM中的所述数据； 以及 查询NVM芯片的状态，以得到编程命令的处理结果； 响应于NVM芯片的状态指示编程命令处理失败，无须重新在所述SRAM中分配存储空间；以及生成第二地址，将第二地址发送给NVM芯片，以再次向NVM芯片发送编程命令，以及将所述DRAM中的备份数据直接搬移到所述NVM芯片。
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