三星电子株式会社李埈圭获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利电阻式存储器件和操作电阻式存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010654331.2，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权电阻式存储器件和操作电阻式存储器件的方法是由李埈圭;比拉尔·艾哈迈德·詹华亚设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式存储器件和操作电阻式存储器件的方法在说明书摘要公布了：一种电阻式存储器件，包括：电阻式存储单元的存储单元阵列，连接到字线和位线，该存储单元阵列的每个存储块包括K个存储片；写入读取电路，通过行解码器和列解码器连接到存储单元阵列，写入读取电路被配置为在存储单元阵列的目标存储片中执行写入操作，写入读取电路包括与存储块相对应的写入驱动器；控制电压生成器，被配置为基于参考电流生成第一控制电压和第二控制电压；以及控制电路，被配置为控制写入读取电路和控制电压生成器。与存储块中的第一存储块相对应的第一写入驱动器被配置为向目标存储片提供与存储单元阵列中的目标存储片的所选择的存储单元的物理位置相对应的写入电流。
本发明授权电阻式存储器件和操作电阻式存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储器件，包括： 存储单元阵列，包括连接到多条字线和多条位线的多个电阻式存储单元，所述存储单元阵列被划分为多个存储块，每个存储块包括K个存储片，K是大于1的自然数； 写入读取电路，通过行解码器并且通过列解码器连接到所述存储单元阵列，所述写入读取电路被配置为在所述存储单元阵列的目标存储片中执行写入操作，所述写入读取电路包括与所述多个存储块相对应的多个写入驱动器； 控制电压生成器，被配置为基于参考电流生成第一控制电压和第二控制电压，并且将所述第一控制电压和所述第二控制电压提供给所述写入读取电路；以及 控制电路，被配置为控制所述写入读取电路和所述控制电压生成器， 其中，所述多个写入驱动器中与所述多个存储块中的第一存储块相对应的第一写入驱动器被配置为向所述目标存储片提供与所述存储单元阵列中的所述目标存储片的所选择的存储单元的物理位置相对应的写入电流。
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