度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司唐松获国家专利权
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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司申请的专利半导体激光器的啁啾因子测量方法及测量系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121431024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202512017754.9,技术领域涉及:G01M11/02;该发明授权半导体激光器的啁啾因子测量方法及测量系统是由唐松;杨国文设计研发完成,并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器的啁啾因子测量方法及测量系统在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体激光器的啁啾因子测量方法及测量系统,涉及半导体激光器技术领域。该方法包括:获取待测半导体激光器的第一路激光入射第一周期性极化铌酸锂晶体后产生的第一输出光的光谱展宽量,以及获取第二路激光入射第二周期性极化铌酸锂晶体后产生的第二输出光进行自相关处理得到的相位随时间变化率,第一路激光和第二路激光为待测半导体激光器的出射光经过分束后生成的两路激光;根据光谱展宽量计算频域啁啾表征因子;根据相位随时间变化率计算时域啁啾表征因子;根据频域啁啾表征因子和时域啁啾表征因子,计算待测半导体激光器的啁啾因子。本申请可以实现半导体激光器的啁啾因子的实时测量。
本发明授权半导体激光器的啁啾因子测量方法及测量系统在权利要求书中公布了:1.一种半导体激光器的啁啾因子测量方法,其特征在于,所述方法包括: 获取待测半导体激光器的第一路激光入射第一周期性极化铌酸锂晶体后产生的第一输出光的光谱展宽量,以及获取第二路激光入射第二周期性极化铌酸锂晶体后产生的第二输出光进行自相关处理得到的相位随时间变化率,所述第一路激光和所述第二路激光为所述待测半导体激光器的出射光经过分束后生成的两路激光,其中,所述第一周期性极化铌酸锂晶体工作在相位匹配点,所述第二周期性极化铌酸锂晶体工作在相位失配点; 根据所述第一输出光的倍频光的光谱展宽量、所述第一路激光的入射光功率、所述第一路激光的入射光波长和所述第一周期性极化铌酸锂晶体的非线性系数,计算频域啁啾表征因子; 根据所述第二输出光的基频光的相位随时间变化率和所述第二路激光的入射光波长,计算时域啁啾表征因子; 根据预设权重因子,对所述频域啁啾表征因子和所述时域啁啾表征因子进行加权,计算所述待测半导体激光器的啁啾因子。
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