长鑫存储技术有限公司张魁获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110772363.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其制作方法是由张魁设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：绝缘层；有源区，形成于绝缘层的上表面，有源区包括沟道区、源极和漏极，源极和漏极位于沟道区的两侧；电荷捕获层，形成于沟道区上表面，多个电荷捕获层间隔设置；栅极，形成于电荷捕获层的上表面，一个栅极对应一个电荷捕获层；字线，形成于栅极的上表面，字线连接栅极。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。
本发明授权半导体存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于， 包括： 绝缘层； 有源区，形成于所述绝缘层的上表面，所述有源区包括沟道区、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述沟道区的两侧； 电荷捕获层，形成于所述沟道区上表面，多个所述电荷捕获层间隔设置； 栅极，形成于所述电荷捕获层的上表面，所述栅极可以设置多个，一个所述栅极对应一个所述电荷捕获层，多个所述栅极共用同一对所述源极和所述漏极； 字线，形成于所述栅极的上表面，所述字线连接所述栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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