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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211405329.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质是由李兴冀;杨剑群;徐晓东;崔秀海设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括：构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型，肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据第二界面态陷阱浓度构建出肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型；构建电子连续性方程和空穴连续性方程；将肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型分别与电子连续性方程和空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；利用晶体管界面态模型对晶体管在不同第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。本技术方案的有益效果是：通过仿真模拟界面态对晶体管基极电流的影响，避免了进行繁琐的地面实验，节约了成本。

本发明授权一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶体管界面态仿真方法，其特征在于，包括： 构建肖特基-里德-霍尔体复合模型，所述肖特基-里德-霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度； 将所述第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据所述第二界面态陷阱浓度构建出肖特基-里德-霍尔表面复合模型； 构建电子连续性方程和空穴连续性方程； 将所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型分别与所述电子连续性方程和所述空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型； 利用所述晶体管界面态模型对晶体管在不同所述第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真； 所述构建肖特基-里德-霍尔体复合模型包括：根据第一公式构建肖特基-里德-霍尔体复合模型，所述第一公式包括： ； 其中，为所述肖特基-里德-霍尔体复合模型的复合率，p为空穴浓度，n为电子浓度，ni为硅中本征载流子浓度，Et为缺陷陷阱的能级，Ei为硅中的本征能级，q为元电荷的电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为温度，为电子寿命，为空穴寿命； 所述将所述第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，包括： 使用第四公式将所述第一界面陷阱浓度转换为所述第二界面态陷阱浓度，其中所述第四公式包括： ； 其中，为所述第一界面陷阱浓度，为所述第二界面态陷阱浓度，为； 所述根据所述第二界面态陷阱浓度构建出肖特基-里德-霍尔表面复合模型，包括： 将所述第二界面态陷阱浓度代入所述肖特基-里德-霍尔体复合模型中，构建出所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型，所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型由第五公式表示，所述第五公式包括： ； 其中，为所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型的复合率，p为所述空穴浓度，n为所述电子浓度，为所述硅中本征载流子浓度，Et为所述缺陷陷阱能级，Ei为所述硅中本征能级，q为所述元电荷电荷量，k为所述玻尔兹曼常数，T为所述温度，为电子热速度，为电子俘获截面，为空穴热速度，为空穴俘获截面，为所述第二界面态陷阱浓度； 所述将所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型分别与所述电子连续性方程和所述空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型，包括： 利用TCAD仿真软件，通过第八公式和第九公式将所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型的复合率加入到所述电子连续性方程和所述空穴连续性方程中； 其中所述第八公式包括： ； 其中，为电子电流密度，为所述电子浓度随时间的变化率，Uvol为等效体复合率，δ为薄层厚度，且δ=1nm=1×107cm，q为元电荷电荷量，为所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型的复合率； 其中所述第九公式包括： ； 其中，为空穴电流密度，为所述空穴浓度随时间的变化率，Uvol为所述等效体复合率，δ为所述薄层厚度，且δ=1nm=1×107cm，q为元电荷电荷量，为所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型的复合率。

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