中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司吴旭升获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110656632.3，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴旭升;陈文磊设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的逻辑区和光电区，其中所述逻辑区形成有逻辑器件，在所述逻辑区和所述光电区的半导体衬底上形成有第一介质层；在所述光电区的第一介质层中形成光电材料层，且所述光电材料层与所述第一介质层的表面共面；在所述光电材料层中或者所述光电材料层下方的半导体衬底中形成光电器件。本申请技术方案的半导体结构的形成方法能够将光电器件和逻辑器件同时制作在同一芯片上。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的逻辑区和光电区，其中所述逻辑区形成有逻辑器件，在所述逻辑区和所述光电区的半导体衬底上形成有第一介质层； 在所述光电区的第一介质层中形成光电材料层，且所述光电材料层与所述第一介质层的表面共面； 在所述光电材料层中或者所述光电材料层下方的半导体衬底中形成光电器件，其中，所述逻辑器件包括位于所述逻辑区的半导体衬底中的源极和漏极；采用第一离子注入工艺形成所述源极和漏极的同时，在所述光电区的半导体衬底中形成所述光电器件的第一掺杂区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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