朗美通日本株式会社菅一辉获国家专利权
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龙图腾网获悉朗美通日本株式会社申请的专利光学半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110990196.3，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权光学半导体器件是由菅一辉;中原宏治设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学半导体器件在说明书摘要公布了：一种光学半导体器件，包括:多量子阱层，包括彼此交替重叠的一些阱层和一些势垒层；光学约束层；以及插置在多量子阱层和光学约束层之间的引导层。每个势垒层是未掺杂层，最外层是势垒层中的一个。光学约束层的折射率大于最外层的折射率，带隙小于最外层的带隙。引导层包括与最外层接触的第一相邻层，并且引导层比光学约束层薄。光学约束层和引导层中的每一个都是n型半导体层。引导层的第一相邻层的带隙大于光学约束层的带隙。
本发明授权光学半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种光学半导体器件，包括: 下台面结构； 在所述下台面结构上的上台面结构，其中所述上台面结构比所述下台面结构窄； 多量子阱层，被包括在所述下台面结构中，所述多量子阱层包括彼此交替重叠的一些阱层和一些势垒层， 其中每个势垒层是未掺杂层， 其中最外层是势垒层中的一个； 光学约束层，被包括在所述下台面结构中并且具有的折射率大于最外层的折射率，其中光学约束层具有的带隙小于最外层的带隙； InGaAlAs引导层，插置在多量子阱层和光学约束层之间， 其中所述引导层直接接触所述光学约束层；以及 其中引导层包括与最外层接触的第一相邻层，并且引导层比光学约束层薄， 其中: 光学约束层和引导层中的每一个都是n型半导体层，并且 引导层的第一相邻层具有的带隙大于光学约束层的带隙；以及 InP掩埋层，围绕所述下台面结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗美通日本株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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