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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110550581.6，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体装置是由沓掛弘之设计研发完成，并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够在衬底内高密度地配置多个有源区域的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备设置在衬底内的多个有源区域，第1、第2、第3、及第4有源区域分别包含中央部分、所述中央部分的第1方向上的第1部分、所述第1部分的相反侧的第2部分、所述中央部分的第2方向上的第3部分、及所述第3部分的相反侧的第4部分。进而，所述第1有源区域的所述第1部分的端部与所述第4有源区域的所述第4部分的侧部对向，所述第2有源区域的所述第2部分的端部与所述第3有源区域的所述第3部分的侧部对向，所述第3有源区域的所述第3部分的端部与所述第1有源区域的所述第1部分的侧部对向，所述第4有源区域的所述第4部分的端部与所述第2有源区域的所述第2部分的侧部对向。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 衬底； 第1有源区域，设置在所述衬底内，具有第1中央部分及第1突出部分，所述第1突出部分从所述第1中央部分向第1方向的第1朝向突出； 第2有源区域，设置在所述衬底内，具有第2中央部分及第2突出部分，所述第2突出部分从所述第2中央部分向所述第1方向的第2朝向突出； 第3有源区域，设置在所述衬底内，具有第3中央部分及第3突出部分，所述第3突出部分从所述第3中央部分向与所述第1方向交叉的第2方向的第3朝向突出；及 第4有源区域，设置在所述衬底内，具有第4中央部分及第4突出部分，所述第4突出部分从所述第4中央部分向所述第2方向的第4朝向突出；且 所述第1突出部分的突出方向上的端部与所述第4突出部分的与突出方向交叉的方向上的侧部对向， 所述第2突出部分的突出方向上的端部与所述第3突出部分的与突出方向交叉的方向上的侧部对向， 所述第3突出部分的突出方向上的端部与所述第1突出部分的与突出方向交叉的方向上的侧部对向， 所述第4突出部分的突出方向上的端部与所述第2突出部分的与突出方向交叉的方向上的侧部对向。

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