中国科学院微电子研究所何建芳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种掩模参数优化方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114137792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111274722.2，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种掩模参数优化方法及装置是由何建芳;韦亚一;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;马乐设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩模参数优化方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩模参数优化方法，方法包括：获取测试图形、光源参数、初始掩模参数，初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数；多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度；根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数，并对这些组掩模参数分别进行模拟，以得到每组掩模参数的成像对比度，从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而，通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化，也可以显著改善成像对比度，并提升成像分辨力。
本发明授权一种掩模参数优化方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体的金属-介质多层膜透镜成像系统的掩模参数优化方法，其特征在于，所述方法包括： 获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数，所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角； 根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角，生成多组候选掩模参数；所述多组候选掩模参数包括不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度； 基于所述测试图形和所述光源参数，对各组所述候选掩模参数分别进行模拟，得到每组候选掩模参数的成像对比度； 根据所述成像对比度，从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。
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