英飞凌科技股份有限公司T·巴斯勒获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件中的失效结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011354490.7，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权半导体器件中的失效结构是由T·巴斯勒;A·许尔纳;C·莱恩德茨;D·彼得斯设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中的失效结构在说明书摘要公布了：公开了半导体器件中的失效结构。提供了一种半导体器件。在实施例中，半导体器件包括控制区、第一电力区、第二电力区、隔离区和或短路结构。控制区包括控制端子。第一电力区包括第一电力端子。第二电力区包括第二电力端子。隔离区在控制区和第一电力区之间。短路结构从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区。短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。
本发明授权半导体器件中的失效结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 控制区，其包括控制端子； 第一电力区，其包括第一电力端子； 第二电力区，其包括第二电力端子； 隔离区，其在控制区和第一电力区之间；以及 短路结构，其从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区，其中短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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