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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利竖直存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010914790.X，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权竖直存储器装置及其制造方法是由孙荣晥;林周永;沈善一;李洙衡;丁相勋设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本竖直存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：竖直存储器装置包括在衬底上竖直地延伸的沟道。电荷存储结构设置在沟道的侧壁上。栅电极竖直地彼此间隔开，并围绕电荷存储结构。第一绝缘图案包括栅电极之间的气隙。电荷存储结构包括水平地顺序地堆叠的隧道绝缘层、电荷俘获图案和第一阻挡图案。电荷存储结构包括竖直地彼此间隔开的电荷俘获图案。电荷俘获图案中的每一个水平地面对栅电极中的一个。电荷俘获图案中的每一个的面对第一阻挡图案的外侧壁在第一方向上的长度小于其面对隧道绝缘层的内侧壁在第一方向上的长度。

本发明授权竖直存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种竖直存储器装置，包括： 沟道，其设置在衬底上，所述沟道主要在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸； 电荷存储结构，其设置在所述沟道的外侧壁上，所述电荷存储结构包括在与所述衬底的所述上表面平行的水平方向上顺序地堆叠的隧道绝缘层、电荷俘获图案和第一阻挡图案； 多个栅电极，所述多个栅电极在所述第一方向上彼此间隔开，所述多个栅电极中的每一个至少部分地围绕所述电荷存储结构；以及 第一绝缘图案，其设置在所述多个栅电极中的相邻栅电极之间，所述第一绝缘图案包括设置在其中的气隙， 其中，所述电荷存储结构包括在所述第一方向上彼此间隔开的电荷俘获图案，所述电荷俘获图案中的每一个在所述水平方向上面对所述多个栅电极中的一个栅电极， 其中，所述电荷俘获图案中的每一个的面对所述第一阻挡图案的外侧壁在所述第一方向上的长度小于所述电荷俘获图案中的每一个的面对所述隧道绝缘层的内侧壁在所述第一方向上的长度，并且 其中，所述竖直存储器装置还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层仅设置在所述第一绝缘图案的下表面和上表面上，并且未设置在所述第一绝缘图案的位于所述电荷俘获图案之间的部分的下表面和上表面上，所述蚀刻停止层包括氧化硅。

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