日月光半导体制造股份有限公司陈仁君获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利光学装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112259634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010625596.X，技术领域涉及：H10F55/00；该发明授权光学装置及其制造方法是由陈仁君设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光学装置，其包含衬底、光接收组件、封装物、耦合层及光屏蔽层。所述光接收组件安置于所述衬底上。所述封装物覆盖所述光接收组件。所述耦合层安置于所述封装物的至少一部分上。所述光屏蔽层安置于所述耦合层上。
本发明授权光学装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光学装置，其包括： 衬底； 光接收组件，其安置于所述衬底上； 发光组件，其安置于所述衬底上并邻近所述光接收组件； 第一封装物，其覆盖所述光接收组件； 第二封装物，其覆盖所述发光组件； 耦合层，包含第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分安置于所述第一封装物的顶面及侧表面上并与其接触，所述第二部分安置于所述第二封装物的顶面及侧表面上并与其接触，所述第三部分安置于所述衬底上并与其接触，且连接所述第一部分与所述第二部分；及 光屏蔽层，其安置于所述耦合层上并与其接触，且与所述耦合层共形， 其中，所述光屏蔽层是通过溅镀工艺形成的金属层，所述光屏蔽层具有小于2μm的厚度，且在300nm至1100nm的波长范围内，所述光屏蔽层的光密度大于4。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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