厦门芯达茂微电子有限公司徐守一获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门芯达茂微电子有限公司申请的专利一种MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224154560U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520847107.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种MOSFET器件是由徐守一;陈志鹏;赖银坤;蔡铭进设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体功率器件领域，特别涉及一种MOSFET器件，其包括衬底、P阱区、N源区和肖特基金属层，P阱区设置在衬底上，N源区设置在P阱区上，N源区、P阱区和衬底之间形成一沟槽，沟槽具有侧壁和底壁，侧壁连接底壁并形成拐角，肖特基金属层位于沟槽内，肖特基金属层覆盖沟槽的侧壁、底壁和拐角，肖特基金属层的上表面低于P阱区。借此，可有效改善MOSFET器件在沟槽底部拐角处栅氧化层容易击穿失效的问题，并且具有高耐压、低开启电压和低开关损耗的特性，可以作为续流二极管来替代额外的二极管。
本实用新型一种MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于：所述MOSFET器件包括： 衬底； P阱区，设置在所述衬底上； N源区，设置在所述P阱区上； 所述N源区、所述P阱区和所述衬底之间形成一沟槽，所述沟槽具有侧壁和底壁，所述侧壁连接所述底壁并形成拐角； 肖特基金属层，位于所述沟槽内，所述肖特基金属层覆盖所述沟槽的所述侧壁、所述底壁和所述拐角，所述肖特基金属层的上表面低于所述P阱区。
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