武汉鑫威源电子科技有限公司杨兰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉鑫威源电子科技有限公司申请的专利一种GaN基蓝光激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511707771.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种GaN基蓝光激光器及其制备方法是由杨兰;印新达;周志学;张振峰设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基蓝光激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种GaN基蓝光激光器及其制备方法，包括衬底，所述衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；所述P型上限制层是由至少一层U型GaN子层和多层P型InxAlyGa1‑x‑yN子层层叠复合而成，其中，0≤xy1,0x1,0x+y1。本发明采用至少一层U型GaN子层和多层P型InxAlyGa1‑x‑yN子层层叠复合形成P型上限制层，不仅提高了材料的晶体质量，提高了LD器件有源区辐射复合，进而提高了LD输出光功率、光电转换效率，还降低了LD器件的电压和热损耗，提高了LD器件的老化寿命等性能。
本发明授权一种GaN基蓝光激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基蓝光激光器，包括衬底，其特征在于：所述衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；所述P型上限制层是由至少一层U型GaN子层和多层P型InxAlyGa1-x-yN子层层叠复合而成，其中，0≤xy1,0x1,0x+y1；所述U型GaN子层的生长温度为T1，所述P型InxAlyGa1-x-yN子层的生长温度为T2，0T1-T250。
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