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龙图腾网获悉武汉鑫威源电子科技有限公司申请的专利一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511707417.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法是由杨兰;印新达;周志学;张振峰设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法，包括衬底，衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、U型覆盖层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；P型电子阻挡层包括依次层叠设置的AlN子层和P型InAlGaN子层。本发明的P型电子阻挡层利用P型InAlGaN子层的压电极化和自发极化引发异质界面处能带的巨大弯折，使P型掺杂剂受主能级处于费米能级以下，提高截面处P型掺杂剂受主的离化率，从而提高空穴浓度；并在靠近有源区一侧采用高Al组分的AlN子层，可以拉高能带，限制有源区的电子溢流，减少电子与空穴在非复合区发生非辐射复合，从而提高器件的发光效率。

本发明授权一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基蓝光激光器外延结构，包括衬底，其特征在于：所述衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、U型覆盖层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；所述P型电子阻挡层包括依次层叠设置的AlN子层和P型InAlGaN子层；所述P型InAlGaN子层为以下结构中的任意一种： a所述P型InAlGaN子层为单层Al组分变化的P型InxAlyGa1-x-yN子子层，或者所述P型InAlGaN子层为多层Al组分变化的P型InxAlyGa1-x-yN子子层依次层叠的复合结构，其中，0≤xy1,0x+y1； b所述P型InAlGaN子层为多层Al组分恒定的P型InxAlyGa1-x-yN子子层循环层叠的超晶格结构，或者所述P型InAlGaN子层为多层Al组分变化的P型InxAlyGa1-x-yN子子层循环层叠的超晶格结构，其中，0≤xy1,0≤y1,0x+y1； c所述P型InAlGaN子层为单层多层Al组分恒定的P型InxAlyGa1-x-yN子子层与单层多层Al组分变化的P型InxAlyGa1-x-yN子子层交替层叠的超晶格结构，其中，0≤xy1,0x+y1。

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