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龙图腾网获悉上海显耀显示科技有限公司申请的专利发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511677393.4，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权发光二极管芯片是由顾之琛;赵爽;祝元坤;陈伟新;徐群超设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管芯片，其包括衬底、多个发光二极管、第一电极和第二电极，第二电极至少部分地嵌入衬底，从而使得第二电极的底端低于多个发光二极管的底端。在本发明中，由于第二电极至少部分地嵌入该芯片的衬底，使得第二电极占用的相邻发光二极管之间的空间减小，相邻的发光二极管之间的间隙能够适应性缩小，从而使得该芯片的整体尺寸相对减小，从而可以匹配更加轻薄便携的电子设备、适应更多的应用场景。本发明还提供一种发光二极管芯片，其中二极管的发光主体的顶部半导体层的顶表面设置成具有光学微结构的非平面，能够增强光线出射、增大漫反射、提高出光率、优化发光二极管芯片的性能。

本发明授权发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片100，其特征在于，包括： 衬底1； 多个发光二极管21，所述多个发光二极管在所述衬底上呈阵列式排布，每一个所述发光二极管包括从下往上依次堆叠的第一类型半导体2113、发光层2112和第二类型半导体2111； 第一电极3，所述第一电极设置在所述衬底处并定位在所述发光二极管的底部，所述第一电极和所述第一类型半导体2113导电连接； 第二电极4，所述第二电极的一部分设置在所述衬底处并定位在具有第一相邻关系的一对所述发光二极管之间，所述第二电极的所述一部分和所述第二类型半导体2111导电连接， 其中，所述第二电极的所述一部分至少部分地嵌入所述衬底1，从而使得所述第二电极的所述一部分的底端低于所述多个发光二极管21的底端； 所述发光二极管芯片还包括： 多个微透镜23，所述微透镜与所述发光二极管一一对应；以及 透光间隔部22，所述透光间隔部设置于所述微透镜与所述发光二极管之间，所述透光间隔部在两个相邻所述发光二极管之间具有间隙部221，其中，所述间隙部为狭长缝隙且顶端封闭，并且，所述间隙部221的顶端高于所述发光二极管的发光层2112，所述间隙部221的底端低于所述发光二极管的发光层2112。

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