中茵微电子(南京)有限公司周明忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中茵微电子(南京)有限公司申请的专利一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511633801.6，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法是由周明忠;王洪鹏设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法，涉及双倍数据速率存储器芯片技术领域。该校准方法一方面通过对PU、PD电阻进行两次极性相反的校准，消除了比较器电路的偏移电压，提高校准精确度；另一方面通过对比较器电路的输出结果进行表决操作，通过判断表决周期内比较器电路输出为0和1的次数，从而判断周期内比较器电路输出的最终结果，消除了信号噪声、电源波动对校准结果的影响，进一步提高校准精确度。使得校准精确度能满足HBMPHY的快速高精度校准要求。
本发明授权一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于HBM内存的阻抗校准电路，其特征在于：包括输出驱动器、多路选择器、参考电压产生电路、比较器电路、表决逻辑电路、有限状态机和控制逻辑模块； 所述多路选择器，设置在输出驱动器的后端，作为输出驱动器的输出端和比较器电路的输入端，用于对输出驱动器输出的PU信号和PD信号选择调控； 所述比较器电路，设置在参考电压产生电路和多路选择器后端，用于将输入的PU信号或PD信号与输入的参考电压进行比较，驱动校准逻辑调整输出驱动器的阻抗； 所述表决逻辑电路，设置在比较器电路后端，并连接有限状态机，用于对比较器电路的输出结果进行表决操作，通过判断表决周期内比较器电路输出为0和1的次数，判断周期内比较器电路输出的最终结果； 所述有限状态机和控制逻辑模块设置在表决逻辑电路后端，用于对表决逻辑电路的输出结果进行逻辑判断并输出反馈信号PUCODE至输出驱动器中。
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