买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利微型发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511549622.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权微型发光二极管及其制备方法是由陈张笑雄;龚逸品;朱宸綦;王江波设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型GaN层、浅阱层、多量子阱层和p型含铝半导体层；所述浅阱层包括交替层叠的多个InyGa1‑yN层和多个GaN层，0.01＜Y＜0.1；所述多量子阱层包括交替层叠的多个InzGa1‑zN层和多个GaN层，0.2＜Z＜0.3。本公开实施例能改善低电流密度下发光二极管的载流子浓度较低的问题，提升发光二极管的发光效率。

本发明授权微型发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管适用于电流密度小于或者等于3Acm2的工况，且所述发光二极管的外量子效率大于或者等于35%，所述发光二极管包括依次层叠的n型GaN层40、浅阱层60、多量子阱层70和p型含铝半导体层83； 所述n型GaN层40包括依次层叠且Si掺杂的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层，所述第一GaN层的Si掺杂浓度区间为2×1018cm-3至2×1019cm-3，所述第二GaN层的Si掺杂浓度区间为5×1018cm-3至5×1019cm-3，所述第三GaN层的Si掺杂浓度区间为5×1017cm-3至1×1019cm-3，所述第二GaN层的厚度大于所述第一GaN层和所述第三GaN的厚度之和； 所述浅阱层60包括交替层叠的多个InyGa1-yN层和多个GaN层，0.01＜Y＜0.1，所述浅阱层60中，InyGa1-yN层为Si掺杂，且InyGa1-yN层的掺杂浓度为1×1017cm-3至1×1018cm-3，GaN层为Si掺杂，且GaN层的掺杂浓度为1.5×1017cm-3至1×1018cm-3； 所述多量子阱层70包括交替层叠的多个InzGa1-zN层和多个GaN层，0.2＜Z＜0.3，所述多量子阱层70中，GaN层为Si掺杂，且GaN层的掺杂浓度为1×1017cm-3至1×1018cm-3，所述多量子阱层70中，InzGa1-zN层未掺杂； 所述p型含铝半导体层83包括交替层叠的多个GaN层和多个AlEGa1-EN层，0.005＜E＜0.2，所述p型含铝半导体层83中，GaN层为Mg掺杂，且GaN层的掺杂浓度为1×1019cm-3至1×1020cm-3；AlEGa1-EN层为Mg掺杂，且AlEGa1-EN层的掺杂浓度为1×1019cm-3至1×1020cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。