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龙图腾网获悉广州兴森快捷电路科技有限公司申请的专利一种封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120998880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511142964.4，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权一种封装结构及其制备方法是由赵磊;郭栩聪;左仑;李言;蔡昆庭;黄士辅设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构及其制备方法，封装结构包括：第一子板；感光介质层，感光介质层覆盖部分第一子板；感光介质层包括第一凹槽，第一凹槽贯穿感光介质层，感光介质层远离第一子板的表面齐平，第一凹槽暴露的部分第一表面齐平；第一介质层至少覆盖部分第一子板；第二子板，第二子板位于第一介质层远离第一子板的一侧；第二子板覆盖第一介质层；空腔，空腔由第二子板远离第一子板的表面贯穿至感光介质层；至少一个电子元件，至少一个电子元件位于空腔内，至少一个电子元件通过第一凹槽与第一子板电连接。本发明可以实现对封装结构的高精度、高共面性、高质量、高效率的要求，提高电子元件的封装可靠性。

本发明授权一种封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成第一子板；所述第一子板包括相对设置的第一表面和第二表面； 在所述第一表面远离所述第二表面的一侧形成感光介质层；所述感光介质层覆盖部分所述第一子板；所述感光介质层包括第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述感光介质层，暴露部分所述第一表面；所述感光介质层远离所述第一子板的表面齐平，所述第一凹槽暴露的部分所述第一表面齐平； 在所述感光介质层远离所述第一子板的一侧形成保护结构材料层；所述保护结构材料层覆盖所述感光介质层及覆盖所述第一凹槽的底部和侧壁； 在所述保护结构材料层远离所述第一子板的一侧形成第一介质材料层；所述第一介质材料层覆盖部分所述第一子板和所述保护结构材料层； 在所述第一介质材料层远离所述第一子板的一侧形成第二子板材料层；所述第二子板材料层覆盖所述第一介质材料层； 对所述保护结构材料层、所述第一介质材料层和所述第二子板材料层进行处理，形成空腔，形成第一介质层和第二子板；所述空腔由所述第二子板远离所述第一子板的表面贯穿至所述感光介质层；所述第一介质层至少覆盖部分所述第一子板；所述第二子板覆盖所述第一介质层； 在所述空腔内形成至少一个电子元件，所述至少一个电子元件位于所述空腔内，所述至少一个电子元件通过所述第一凹槽与所述第一子板电连接。

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