粤芯半导体技术股份有限公司韩瑞津获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利改善晶圆多形态翘曲的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120974844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511474033.4，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权改善晶圆多形态翘曲的方法及系统是由韩瑞津;曾辉设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善晶圆多形态翘曲的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善晶圆多形态翘曲的方法及系统，方法包括步骤：1测量晶圆的初始翘曲形貌，获取形变分布数据；2通过有限元仿真模型计算晶圆翘曲的三维形变并以此为基础，基于所述实测形变分布数据，通过线性叠加法优化晶圆背面应力膜的参数，使应力膜产生与初始翘曲形貌相反的形变分布；3在晶圆背面制备出弓形应力膜；4测量优化后的晶圆的形变分布数据；5判断优化后的晶圆的翘曲值是否满足要求；6通过反推修正应力膜的参数，并修正应力膜的参数。本发明可抵消各种类型的初始形变，以达到最大程度上减小生产流程中特定步骤产生翘曲，充分保证产品质量和可靠性要求。
本发明授权改善晶圆多形态翘曲的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆多形态翘曲的方法，其特征在于，所述方法包括： 1测量晶圆的初始翘曲形貌，获取晶圆的实测形变分布数据； 2通过有限元仿真模型计算晶圆翘曲的三维形变并以此为基础，基于所述实测形变分布数据，通过线性叠加法优化晶圆背面应力膜的参数，所述参数包括应力膜的类型、几何形状、应力值和厚度，使所述背面应力膜产生与初始翘曲形貌相反的形变分布； 3依据步骤2优化后的应力膜的参数，在晶圆背面制备出应力膜，所述应力膜呈弓形分布在晶圆背面靠近圆周的四个象限； 4测量优化后的晶圆的形变分布数据； 5判断优化后的晶圆的翘曲值是否满足要求，若晶圆的翘曲值小于或等于晶圆允许最大翘曲规格，则依据步骤3的应力膜的参数进行晶圆制备；若晶圆的翘曲值大于晶圆允许最大翘曲规格，则进行步骤6； 6基于步骤4的测量结果，通过反推修正应力膜的参数，并在有限元仿真模型中修正应力膜的参数，并重新执行步骤2~步骤5，直至晶圆的翘曲值小于或等于晶圆允许最大翘曲规格。
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