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龙图腾网获悉山西天成半导体材料有限公司;材料科学姑苏实验室申请的专利一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120943652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511155165.0，技术领域涉及：C04B35/66；该发明授权一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚是由仝晓刚;乔晓峰;王晨豪;刘洋洋;周海峰;余志洋;刘畅;赵晨阳设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，且公开了一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，包括由内至外依次复合的内胆层、过渡层和外支撑层；坩埚内胆层采用高纯碳化钽基体与稀土氧化物复合结构，在高温晶体生长环境下，稀土元素通过晶界扩散行为形成连续偏聚层，钝化晶界活性位点，阻隔氧杂质向内渗透，同时过渡层的梯度材料设计实现热膨胀系数的渐进匹配，充分吸收热循环过程中的界面应力，避免层间剥离风险，从而保障碳化硅晶体半绝缘特性的高稳定性和长服役寿命，内胆层外表面设置的微槽阵列结构经热解碳涂覆处理，构建规则化气态物质传输路径，降低晶体生长界面的多型相变倾向，从而获得高度均一、无夹杂的碳化硅单晶结构。

本发明授权一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚在权利要求书中公布了：1.一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，包括由内至外依次复合的内胆层、过渡层和外支撑层： 所述内胆层由高纯碳化钽材料构成，其纯度≥99.9995wt%，晶粒尺寸为5-20μm，孔隙率≤0.03vol%，所述内胆层包含均匀分散的稀土氧化物纳米颗粒，所述稀土氧化物为氧化镧、氧化钇或氧化钆中的至少一种，粒径为50-200nm，掺杂量为0.01-0.5wt%，且在内胆层表面形成连续分布的晶界偏聚层，偏聚层厚度为10-100nm，所述坩埚内胆层外表面设有微槽阵列结构，微槽深度为0.1-0.5mm，宽度为0.05-0.2mm，槽间距为0.3-1mm，微槽走向与坩埚轴线夹角为10°-30°，所述微槽内填充有热解碳涂层，涂层厚度为20-50μm，密度≥2.0gcm³； 所述过渡层为梯度复合结构，由内向外依次包含碳化钽-碳化硅混合相层、碳化硅-碳化钛复合层和碳化钛层，其中碳化钽-碳化硅混合相层中碳化钽体积分数从100%梯度递减至40%，碳化硅体积分数从0%递增至60%； 所述外支撑层由碳纤维增强碳化硅基复合材料构成，碳纤维体积分数为45-60%，纤维编织角度为30°-45°，并在碳化硅基体中引入纳米碳化硼分散相； 所述坩埚整体为圆台形结构，侧壁锥角为30°-45°，内胆层壁厚为3-8mm，过渡层厚度为2-5mm，外支撑层厚度为8-15mm，所述坩埚外表面覆盖抗氧化涂层； 所述坩埚内表面粗糙度Ra≤0.1μm，热膨胀系数沿径向梯度变化范围为4.8×K至6.3×K。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西天成半导体材料有限公司;材料科学姑苏实验室，其通讯地址为：030000 山西省太原市中北高新技术产业开发区不锈钢产业园区钢园北街1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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