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龙图腾网获悉广东场效应半导体有限公司申请的专利一种芯片老化自动测试方法、系统及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120870826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511177850.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种芯片老化自动测试方法、系统及介质是由朱桂丰设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片老化自动测试方法、系统及介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片老化自动测试方法、系统及介质，涉及半导体的技术领域，方法包括：识别出待测芯片的类型标识后，调用与其对应的老化测试参数组，利用老化测试参数组对待测芯片进行老化测试，在采集待测芯片在老化测试过程中的关键电学参数后，进行比对，得到比对结果，当比对结果超出预设的阈值范围时，自动进行异常记录操作，并终止待测芯片当前所在老化测试的测试环节。通过自动记录异常信息和终止老化过程，实现了从数据采集、分析到决策与控制的全自动化闭环处理，不仅提高了测试效率，还有效保护了测试设备与样品，降低了资源浪费和误判风险，克服老化趋势识别精度低、响应速度慢的问题。

本发明授权一种芯片老化自动测试方法、系统及介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片老化自动测试方法，其特征在于，包括： 识别出待测芯片的类型标识，并基于所述类型标识从预设的参数库中调用与对应的老化测试参数组； 向所述待测芯片的电源引脚施加所述老化测试参数组中的老化电压值；向所述待测芯片施加所述老化测试参数组中的老化电流值；将测试环境温度调节至所述老化测试参数组中的老化温度值并保持恒定；根据所述老化测试参数组中的采样间隔时间设定预设定时器的触发周期作为采样周期，当所述预设定时器达到预设的触发时间时，测试系统通过多路开关矩阵依次切换至测试所述待测芯片的各个测试环节，并对每个测试环节内的待测芯片施加预设的测试信号；实时测量所述待测芯片在所述测试信号激励下的电气响应，并计算得到关键电学参数； 提取所述待测芯片在连续多个采样时间点的关键电学参数，按照时间戳顺序将所述关键电学参数组成时序数组，计算相邻两次采样时间点之间每种关键电学参数的绝对变化量，并基于所述绝对变化量计算出参数变化率；获取连续N个采样周期内同一种关键电学参数的参数变化率，以构成变化率序列，根据移动平均滤波对所述变化率序列进行滤波处理，得到滤波后的变化率序列；通过最小二乘法对所述变化率序列进行曲线拟合，得到老化趋势曲线；对所述老化趋势曲线进行数值分析，得到性能漂移值，将所述性能漂移值与存储在所述参数库中对应芯片类型的阈值范围进行数值比对，得到比对结果； 当所述比对结果超出预设的阈值范围时，自动进行异常记录操作，并终止所述待测芯片当前所在老化测试的测试环节。

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