福源(中山)光电科技有限公司吴平安获国家专利权
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龙图腾网获悉福源(中山)光电科技有限公司申请的专利一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120866779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510759189.0,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用是由吴平安;陈英楷;曹军生设计研发完成,并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用在说明书摘要公布了:本发明涉及光学镀膜技术领域,且公开了一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用,该制备方法在柔性基材表面涂覆UV胶,通过压应机在UV胶层表面压印微纳结构,将压印纹理后的基材置于真空镀膜机中进行真空镀膜;采用后氧化溅射镀膜技术,在基材表面交替沉积低折射率材料SiAlO和高折射率材料NbAlO,形成多层增透减反膜系;以Si靶材和Al靶材为原料,在靶材Si靶材与Al靶材同时充入氧气得到低折射率材料SiAlO;以Nb靶材和Al靶材为原料,在靶材Nb靶材与Al靶材同时充入氧气得到高折射率材料NbAlO。在柔性基材结构上结合高低折射非导材料磁控溅射镀膜堆叠T*PVD微纳3A光效薄膜解决太阳辐射问题以及膜厚层导致附着力差问题。
本发明授权一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用在权利要求书中公布了:1.一种高折射非导低应力镀膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 在柔性基材表面涂覆UV胶,通过压印机在UV胶层表面压印微纳结构; 将压印纹理后的基材置于真空镀膜机中,基材置于真空镀膜机中进行真空镀膜时,抽真空至5.0×10⁻4Pa至2.0×10⁻4Pa,仓室温度加热至60℃-80℃; 采用后氧化溅射镀膜技术,在基材表面交替沉积低折射率材料SiAlO和高折射率材料NbAlO,形成多层增透减反膜系; 其中,沉积低折射率材料SiAlO:以Si靶材和Al靶材为原料,在溅射过程中同时向真空室充入氧气,沉积形成低折射率材料SiAlO; 沉积高折射率材料NbAlO:以Nb靶材和Al靶材为原料,在溅射过程中同时向真空室充入氧气,沉积形成高折射率材料NbAlO; 其中,所述Si靶材与Al靶材的离子比例为Si:80%,Al:20%;Nb靶材与Al靶材的离子比例为Nb:92%,Al:8%;Si靶材与Al靶材同时充入氧气得到低折射率材料SiAlO时,控制Si靶材功率为18-20kW,Al靶材功率为9-10kW,真空室压力为3.0×10-1Pa,离子比例为Si:Al=80%:20%至60%:40%;镀膜600纳米通过光谱透射反射曲线抓取非导低应力折射率控制在1.49-1.51之间;或者在Nb靶材与Al靶材同时充入氧气得到高折射率材料NbAlO时,控制Nb靶材功率为18-20kW,Al靶材功率为9-10kW,真空室压力为3.0×10-1Pa,离子比例为Nb:Al=92%:8%至85%:15%;镀膜600纳米通过光谱透射反射曲线抓取非导低应力折射率控制在2.29-2.31之间。
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