中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种紫外光电忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511343618.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种紫外光电忆阻器及其制备方法是由孙晓娟;谢智伟;蒋科;黎大兵;吕顺鹏;贲建伟;张山丽;王炳翔设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外光电忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体紫外光电忆阻技术领域，具体提供了一种紫外光电忆阻器及其制备方法。本发明的紫外光电忆阻器，包括衬底、AlGaN光敏沟道层、源电极、漏电极、AlScN电忆阻层、顶电极；AlGaN光敏沟道层作为探测器的光吸收区，形成空间电荷区，起到在光照下产生光生载流子改变电导率从而改变AlScN电忆阻器两端分压作用；由于MSM型的AlGaN探测与AlScN忆阻器形成串联结构，在光照下AlScN两端电压增大，器件实现极化反转所需的电压均发生减小；由于MSM型AlGaN探测器的对称结构，AlScN忆阻器光照后的极化反转电压也具有良好的对称性，可以利用这种光信号调控极化反转电压的现象实现光增强或光抑制的紫外光电忆阻器。
本发明授权一种紫外光电忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光电忆阻器，其特征在于，包括： 衬底； AlGaN光敏沟道层，位于所述衬底表面； 所述AlGaN光敏沟道层远离所述衬底的表面两侧分别设有源电极和漏电极； AlScN电忆阻层，位于所述源电极或漏电极远离所述衬底的表面； 顶电极，位于所述AlScN电忆阻层远离所述衬底的表面； 所述AlGaN光敏沟道层与源电极、漏电极构成MSM型对称紫外探测结构，将所述AlScN电忆阻层直接集成在所述MSM型对称紫外探测结构的电极区域，形成串联集成结构。
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