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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种低相位噪声正交压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511248530.2，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种低相位噪声正交压控振荡器是由李臻;张洵颖;崔媛媛;赵晓冬设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低相位噪声正交压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开一种低相位噪声正交压控振荡器，涉及正交压控振荡器技术领域，用于解决现有正交压控振荡器难以在高频下同时实现正交信号输出和低相位噪声的技术问题；本发明的低相位噪声正交压控振荡器，包括第一压控振荡器和第二压控振荡器；第一压控振荡器具有第一耦合电路，第二压控振荡器具有第二耦合电路；第一耦合电路和或第二耦合电路至少具有一对电感，第一耦合电路和第二耦合电路形成变压器；第一压控振荡器用于产生第一振荡信号，第二压控振荡器用于产生第二振荡信号；通过变压器使第一振荡信号和第二振荡信号之间维持90°相位差，并输出。

本发明授权一种低相位噪声正交压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种低相位噪声正交压控振荡器，其特征在于，包括： 第一压控振荡器，具有第一耦合电路； 第二压控振荡器，具有第二耦合电路； 所述第一耦合电路和或第二耦合电路至少具有一对电感，所述第一耦合电路和所述第二耦合电路形成变压器； 所述第一压控振荡器用于产生第一振荡信号，所述第二压控振荡器用于产生第二振荡信号；通过所述变压器使所述第一振荡信号和第二振荡信号之间维持90°相位差，并输出； 所述第一耦合电路包括第一电容、第九电感和第十电感；所述第九电感的第一端连接所述第十电感的第一端，且连接处与电源端连接；所述第九电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第十电感的第二端； 所述第二耦合电路包括第二电容、第十一电感和第十二电感；所述第十二电感的第一端连接所述第十一电感的第一端，且连接处与电源端连接；所述第十二电感的第二端连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第十一电感的第二端； 所述第十电感和所述第十一电感变压器耦合； 所述第一压控振荡器还包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的栅极端与所述第四电感的第二端连接，所述第一NMOS晶体管的漏极端与所述第一电感的第一端连接，所述第一NMOS晶体管的源极端接地；所述第二NMOS晶体管的栅极端与所述第三电感的第一端连接，所述第二NMOS晶体管的漏极端与所述第二电感的第二端连接，所述第二NMOS晶体管的源极端接地；所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端连接，且该连接处还作为所述第一电容的第二端和所述第十电感的第二端；所述第三电感的第二端与所述第四电感的第一端连接，且该连接处还作为第二偏置电压端；所述第一电感与所述第三电感变压器耦合，所述第二电感与所述第四电感变压器耦合； 所述第二压控振荡器还包括第五电感、第六电感、第七电感、第八电感、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管的栅极端与所述第八电感的第二端连接，所述第三NMOS晶体管的漏极端与所述第五电感的第一端连接，所述第三NMOS晶体管的源极端接地；所述第四NMOS晶体管的栅极端与所述第七电感的第一端连接，所述第四NMOS晶体管的漏极端与所述第六电感的第二端连接，所述第四NMOS晶体管的源极端接地；所述第五电感的第二端与所述第六电感的第一端连接，且该连接处还作为所述第二电容的第二端和所述第十一电感的第二端；所述第七电感的第二端与所述第八电感的第一端连接，且该连接处还作为第二偏置电压端；所述第五电感与所述第七电感变压器耦合，所述第六电感与所述第八电感变压器耦合。

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