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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120600689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510672403.9，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权半导体结构及其制备方法是由高世龙设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在衬底的上表面依次形成底层介质层、图形化的刻蚀延缓层以及包含互连介质层和互连金属层的互连层，并采用深孔刻蚀工艺从衬底的下表面依次刻蚀衬底、底层介质层及刻蚀延缓层，并裸露出底层互连金属层下表面形成第一通孔，同时刻蚀衬底、底层介质层及位于底层介质层与顶层互连金属层之间的互连介质层，并裸露出顶层互连金属层下表面形成第二通孔，通过引入刻蚀速率低于互连介质层的刻蚀延缓层，实现了对底层互连金属层刻蚀速率的主动调控，确保多层通孔刻蚀深度同步达标，显著降低了底层互连金属层因过刻蚀而减薄、电阻升高及电气性能劣化的风险。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的上表面及下表面，所述衬底的上表面形成有底层介质层； 于所述底层介质层上形成图形化的刻蚀延缓层； 于所得结构上形成互连层，所述互连层包括互连介质层及互连金属层，所述互连金属层嵌入所述互连介质层中，所述互连金属层包括靠近所述衬底的底层互连金属层及远离所述衬底的顶层互连金属层，所述刻蚀延缓层的上表面与所述底层互连金属层的下表面于预设位置处接触，且所述刻蚀延缓层的刻蚀速率与所述互连介质层的刻蚀速率的比率η≤15；所述刻蚀延缓层的厚度为T，定义T=ΔL*η1-η，其中，η为所述刻蚀延缓层的刻蚀速率与所述互连介质层的刻蚀速率的比率，ΔL为所述顶层互连金属层下表面与所述底层互连金属层下表面之间的间距；所述刻蚀延缓层在水平方向上的投影位于所述底层互连金属层内或所述刻蚀延缓层在水平方向上的投影覆盖所述底层互连金属层； 采用深孔刻蚀工艺自所述衬底下表面依次刻蚀所述衬底、所述底层介质层及所述刻蚀延缓层，并裸露出所述底层互连金属层下表面形成第一通孔，同时自所述衬底下表面依次刻蚀所述衬底、所述底层介质层及位于所述底层介质层与所述顶层互连金属层之间的所述互连介质层，并裸露出所述顶层互连金属层下表面形成第二通孔。

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