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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120427671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510516154.4，技术领域涉及：G01N23/20058；该发明授权一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法是由辛仁龙;谭川设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法，属于微观塑性变形及晶体塑性有限元模拟技术领域。该方法结合原位准原位电子背散射衍射表征与晶体塑性有限元模拟，通过实验获取真实的晶粒初始取向分布及晶粒形态演变信息，并将其引入有限元模型，实现对滑移、孪生等变形机制的精准定量分析。相较于传统方法，该方法突破了实验在晶粒尺度变形机制启动量定量表征方面的局限性，同时克服了常规模拟方法在晶粒尺度下误差较大的问题。通过实验与模拟的深度融合，本方法显著提升了变形机制的定量分析精度，为微观塑性变形机理的研究提供了强有力的技术支撑。

本发明授权一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法在权利要求书中公布了：1.一种定量揭示晶粒尺度变形机制启动量的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1根据实验需求，切取原位准原位样品，然后将样品欲变形区域对应的各表面打磨平整，根据实验需要，选取样品欲变形区域对应的某一表面作为观测面，并对观测面进行抛光处理； 2在样品观测面选定扫描区域，采用EBSD对扫描区域进行扫描，采集扫描区域初始态晶粒取向分布数据； 3对样品进行若干次塑性变形处理，每次塑性变形后，采用EBSD对步骤2所述扫描区域进行再次扫描，获取扫描区域不同变形态晶粒取向分布数据； 4对初始态和不同变形态的晶粒取向分布数据进行降噪和晶粒划分，确定晶界分布和各晶粒的平均取向； 5导出初始态晶粒的平均取向和位置分布信息；所述位置分布信息通过晶粒序号排列在含有若干相同单元格的矩阵数据集中，相同晶粒序号代表同一个晶粒，所述矩阵数据集的尺寸与扫描区域尺寸相同，所述矩阵数据集中每个单元格的边长和步骤2中EBSD的扫描步长相同； 6对不同变形态晶粒取向分布数据进行处理，使之保留初始态晶界，并以三叉晶界作为特征点，记录初始态和不同变形态晶粒的三叉晶界坐标； 7将初始态和不同变形态晶粒的三叉晶界坐标进行对应匹配，计算不同变形态晶粒三叉晶界相对于对应初始态晶粒三叉晶界的位移，并导出初始态晶粒三叉晶界的坐标位置和不同变形态晶粒三叉晶界相对于对应初始态晶粒三叉晶界的位移； 8使用有限元软件根据步骤2所述扫描区域的尺寸建立三维有限元模型，并将该有限元模型的表面划分为若干尺寸相同的有限元单元，所述有限元单元的尺寸与矩阵数据集中的单元格相同； 9将步骤5中排列有晶粒序号的矩阵数据集与有限元模型进行重叠，重叠后，将对应相同晶粒序号的有限元单元设置为一个集合，从而得到若干集合，然后基于相应初始态晶粒的平均取向为这些集合赋予材料属性，构建基于真实显微组织的有限元模型； 10利用步骤7初始态晶粒的三叉晶界坐标位置查询有限元模型中对应的单元节点，并将不同变形态晶粒相对于初始态晶粒的位移赋予到对应的单元节点上； 11在有限元软件中将步骤10所得有限元模型提交运算，在计算结果文件中选择各变形机制启动量，即获得不同应变量下，各变形机制累积剪切应变分布图，根据所得分布图即可读出晶粒尺度下各变形机制的启动量。

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