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龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利表面发射激光器及其制备方法、光发射组件及光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510799487.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权表面发射激光器及其制备方法、光发射组件及光模块是由莫庆伟;陈浩;刘点昊;张杨设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本表面发射激光器及其制备方法、光发射组件及光模块在说明书摘要公布了：本申请涉及表面发射激光器及其制备方法、光发射组件及光模块，该制备方法包括：提供一外延片，该外延片包括衬底及形成于该衬底上的外延层；在该外延层背离所述衬底的一面制作一光致变性图案；在该光致变性图案的遮蔽下对该外延层进行台面刻蚀；其中，以氯基气体为反应气体，并在预设刻蚀工艺参数下以垂直于该外延片的方向对该外延层进行刻蚀；对该刻蚀过程中的刻蚀深度进行监控并绘制刻蚀曲线，在达到预设深度后，调整当前刻蚀工艺参数，使刻蚀后的台面与该衬底的夹角为钝角；刻蚀完成后，将该台面置于预设温度下烘烤预设时间。应用本申请的方案可实现ICP蚀刻无损伤和刻蚀角度可控，以方便后续的金属沉积剥离工艺，提高产品性能。

本发明授权表面发射激光器及其制备方法、光发射组件及光模块在权利要求书中公布了：1.一种表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括： 提供一外延片，所述外延片包括衬底及形成于所述衬底上的外延层； 在所述外延层背离所述衬底的一面制作一光致变性图案； 在所述光致变性图案的遮蔽下对所述外延层进行台面刻蚀；其中，以氯基气体为反应气体，并在预设刻蚀工艺参数下以垂直于所述外延片的方向对所述外延层进行刻蚀，所述预设刻蚀工艺参数包括：ICP蚀刻设备的功率为150W，通入气体包括BCl3、Cl2和Ar；所述BCl3的流量为30sccm，所述Cl2流量为10sccm，所述Ar流量为12sccm； 通过原位反射率测量系统对所述刻蚀过程中的刻蚀深度进行实时监控并绘制刻蚀曲线，在达到预设深度后，基于所述刻蚀曲线动态调整当前刻蚀工艺参数，使刻蚀后的台面与所述衬底的夹角为钝角，所述钝角的取值范围为[100°,120°]； 刻蚀完成后，将所述台面置于150℃下烘烤5分钟以修复刻蚀产生的损伤。

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