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龙图腾网获悉无锡诚承电子科技有限公司申请的专利一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120126988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510302816.8，技术领域涉及：H01J37/20；该发明授权一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法是由方明江;蔡成振设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法，本发明涉及光刻对焦技术领域。该离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法，通过光学系统对硅片载物台上硅片的图像数据进行采集处理，数据处理后基于对准标记实现硅片载物台位置的初步校准，而后对光学系统的焦距进行调节确定对准标记处的焦点，通过标点算法结合光学系统的测验实现焦面的偏差计算，而后将偏差数值补偿至硅片载物台进行修正确定对准焦面，以此实现焦距调整和产品倾斜度调整的结合，从而保障硅片对准焦面校准后中心对应的同时，其产品所处位置均位于对准焦面的平面上，提高校准效率的同时保障校准精度。

本发明授权一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入机的硅片载物台用硅片对准焦面校准方法，其特征在于：具体包括以下步骤： A1、将待校准的硅片放置在硅片载物台上，并确保硅片上设有用于对准的对准标记，且对准标记位于硅片中心位置； A2、利用光学系统对硅片载物台上硅片的图像数据进行采集处理，数据处理后基于对准标记实现硅片载物台位置的初步校准，而后对光学系统的焦距进行调节确定对准标记处的焦点，通过标点算法结合光学系统的测验实现焦面的偏差计算，而后将偏差数值补偿至硅片载物台进行修正确定对准焦面； A3、使用新的标准硅片或特定图案的硅片进行验证测试，通过测量离子注入后的硅片上的图案或掺杂分布，验证对准焦面的准确性； 所述A2中标点算法的具体操作为： C1、以对准标记处的前后左右呈十字方向等距设定参考点分别标记为P1、P2、P3和P4，且自光学系统的测量点至四个参考点处的夹角一致，且均为30°； C2、而后将测量点至四个参考点的距离数据进行记录标为H1、H2、H3和H4，并将测量点至对准标记处的距离数据进行记录并标为Q； C3、依据数据计算得到参考点P1和P3以及P2和P4所需调整的偏差数值； 所述C3中参考点所需调整的偏差数值计算步骤为： c31、设定硅片载物台所转动调节的点位于硅片载物台底部的中心处并位于对准标记的正下方； c32、构建测量点、参考点、以及对准标记处均在内的平面模型，以对准标记处为起点作出射线与测量点至参考点的线段相交，将测量点至参考点的线段分为两段标为r1和r2，且射线与测量点至对准标记处的线段呈直角； c33、基于数据分别得出线段r和r的长度，并根据线段r得出最终以对准标记处所需调整的偏差数值。

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