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龙图腾网获悉芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利金属氧化物半导体的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120046561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510109132.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权金属氧化物半导体的建模方法是由顾经纶设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体的建模方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属氧化物半导体的建模方法，包括：建立初始子电路仿真模型，如下：其中，Y_MF为多叉指效应修正参数，NF为MOS器件栅极的叉指数、Xnf0、A、Xnf1、B、Xnf2、C、Xnf3、D、Xnf4、E、Xnf5和F均为拟合参数，W为沟道宽度，L为沟道长度，Xnf6为拟合参数；获取金属氧化物半导体在不同叉指数、不同沟道宽度和不同沟道长度下的多个实测电学特性参数；调整拟合参数，使得在不同叉指、不同沟道宽度和不同沟道长度下仿真得到的多叉指效应修正参数的误差均在设定值内时，确定此时对应的拟合参数的值；建立如下多叉指效应模型：Y＝K+Y_MF。

本发明授权金属氧化物半导体的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体的建模方法，其特征在于，包括： 建立初始子电路仿真模型，如下： ， 其中，Y_MF为多叉指效应修正参数，NF为MOS器件栅极的叉指数、Xnf0、A、Xnf1、B、Xnf2、C、Xnf3、D、Xnf4、E、Xnf5和F均为拟合参数，W为沟道宽度，L为沟道长度，Xnf6为拟合参数，NFA、NFB、NFC、NFD、NFE和NFF均为拟合参数，分别为叉指数的A次方、B次方、C次方、D次方、E次方和F次方； 获取金属氧化物半导体在不同叉指、不同沟道宽度和不同沟道长度下的多个实测电学特性参数； 调整所述拟合参数，使得在不同叉指、不同沟道宽度和不同沟道长度下仿真得到的所述多叉指效应修正参数与实测电学特性参数的误差均在设定值内时，确定此时对应的拟合参数的值，在沟道宽度W和沟道长度L均很大时，调试W*L项的拟合参数Xnf0和A，在沟道宽度W很大或沟道长度L很大时，调试W项的拟合参数Xnf1和B或项的拟合参数Xnf2和C，在沟道宽度W很小或沟道长度L很小时，调试项的拟合参数dvthnf3和D或项的拟合参数dvthnf4和E，在沟道宽度W和沟道长度L均很小时，调试拟合参数Xnf5和F，dvthnf6可以在任何时候调试； 建立如下多叉指效应模型： Y=K+Y_MF，其中，K为常数，Y为修正参数，Y_MF为多叉指效应修正参数； 所述修正参数包括：无衬偏效应时长沟道阈值电压、低场迁移率、纵向电场导致的迁移率退化一阶系数、纵向电场导致的迁移率退化二阶系数、体电荷效应的沟道长度依赖系数、体电荷效应的栅压依赖系数和或载流子饱和运动速度。

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