北京超弦存储器研究院覃维都获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311518787.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由覃维都;李玉科;田超;吕浩昌设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：沿平行于衬底的第一方向分布的多行晶体管，所述晶体管包括沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱，全部奇数行的晶体管的半导体柱形成沿所述第一方向和沿平行于所述衬底的第二方向分布的阵列，全部偶数行的晶体管的半导体柱形成沿所述第一方向和所述第二方向分布的阵列，且奇数行的晶体管的半导体柱与偶数行的晶体管的半导体柱在所述第二方向上错开，所述第一方向和所述第二方向垂直；沿所述第二方向延伸的多条位线，同一列的晶体管连接到同一位线。本实施例提供的方案，通过设置列方向错开的晶体管，可以避免在形成节点接触电极时错位刻蚀或者减小错位的程度，降低工艺难度，提高良率。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 沿平行于衬底的第一方向分布的多行晶体管，所述晶体管包括沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱，全部奇数行的晶体管的半导体柱形成沿所述第一方向和沿平行于所述衬底的第二方向分布的阵列，全部偶数行的晶体管的半导体柱形成沿所述第一方向和所述第二方向分布的阵列，且奇数行的晶体管的半导体柱与偶数行的晶体管的半导体柱在所述第二方向上错开，所述第一方向和所述第二方向垂直； 沿所述第二方向延伸的多条位线，同一列的晶体管连接到同一位线；每两列相邻的晶体管共用一条所述位线；沿所述半导体柱的延伸方向，所述半导体柱的侧壁包括依次分布的第一区域、沟道区域和第二区域，且所述第一区域设置在所述沟道区域朝向所述衬底一侧，所述位线与共用所述位线的两列晶体管的半导体柱的所述第一区域连接。
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