郑州大学王俊俏获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利一种可增强三阶非线性的开槽超表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119986868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510380743.4，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种可增强三阶非线性的开槽超表面是由王俊俏;汪俏俏;何江南;薛萌莎设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可增强三阶非线性的开槽超表面在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳光子学与非线性光学技术领域，具体为一种可增强三阶非线性的开槽超表面，包括：硅二聚体超表面结构单元，硅二聚体超表面结构单元的底部设置石英衬底；硅二聚体超表面结构单元由两个对称排列的纳米盘构成，每个纳米盘的厚度为90nm，半径为180nm，折射率为3.48，每个纳米盘上设有宽度为20nm、长度为60nm的狭缝，且两个纳米盘之间的间距为10nm，通过开槽二聚体设计实现EDTD相消干涉，突破传统结构Q因子限制Q5000，结合Anapole态与硅的高非线性特性，THG效率提升至4.6×10‑4同类硅结构最高水平，参数调控灵活性偏振、几何尺寸为片上非线性光学系统提供新范式。
本发明授权一种可增强三阶非线性的开槽超表面在权利要求书中公布了：1.一种可增强三阶非线性的开槽超表面，其特征在于，包括： 硅二聚体超表面结构单元，所述硅二聚体超表面结构单元的底部设置石英衬底1； 所述硅二聚体超表面结构单元由两个对称排列的纳米盘2构成，每个纳米盘2的厚度为90nm，半径为180nm，折射率为3.48； 每个纳米盘2上设有宽度为20nm、长度为60nm的狭缝3，且两个纳米盘2之间的间距为10nm； 所述硅二聚体超表面结构单元在近红外区域表现出Fano形透射下降，对应于品质因数Q为6918，电场增强因子|EE0|达到280。
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