深圳市重投天科半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司段鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市重投天科半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司申请的专利一种加工晶锭外圆的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119734145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411984833.6,技术领域涉及:B24B1/00;该发明授权一种加工晶锭外圆的方法是由段鑫;眭旭;郭钰;彭同华;刘春俊;彭勇;曾江;杨建设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种加工晶锭外圆的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种加工晶锭外圆的方法和晶锭加工设备,在晶锭的待加工端面上,确定待加工端面的端面圆心,以及对分布于待加工端面上的测量点进行电阻率测量,得到每一个测量点的电阻率;确定圆形区域模板的半径,以端面圆心作为圆形区域模板的初始圆心,基于预设移动参数多次移动圆形区域模板,得到多个圆形区域,计算每一圆形区域所包含的测量点的方差,将各个方差进行比较,方差最小对应的圆形区域为保留圆形区域;基于保留圆形区域的圆心和其半径,利用晶锭加工设备对待加工端面以及晶锭的周面进行加工,得到以保留圆形区域为端面的圆柱晶锭,进而得到保留区域电阻率均匀的圆柱晶锭,以提高晶锭加工的质量。
本发明授权一种加工晶锭外圆的方法在权利要求书中公布了:1.一种加工晶锭外圆的方法,其特征在于,包括: S1、在晶锭的待加工端面20上,确定所述待加工端面20的端面圆心,以及对分布于所述待加工端面20上的测量点30进行电阻率测量,得到每一个测量点30的电阻率;其中,所述测量点30为圆形,且相邻的所述测量点30之间相切; S2、确定圆形区域模板的半径,以所述端面圆心作为所述圆形区域模板的初始圆心,基于预设移动参数多次移动所述圆形区域模板,得到多个圆形区域,计算每一所述圆形区域所包含的所述测量点30的方差,将各个所述方差进行比较,所述方差最小对应的圆形区域为保留圆形区域; S3、基于所述保留圆形区域的圆心和其半径,利用晶锭加工设备对所述待加工端面20以及所述晶锭的周面进行加工,得到以所述保留圆形区域为端面的圆柱晶锭; 所述S2中,所述以所述端面圆心作为所述圆形区域模板的初始圆心,基于预设移动参数多次移动所述圆形区域模板,得到多个圆形区域,包括: 将所述端面圆心设为坐标原点,构建坐标轴;在多个所述测量点30中,将一个所述测量点30的圆心和所述坐标原点重合,将剩余所述测量点30分为多组,多组所述测量点30呈同心分布,每组的所述测量点30围绕所述坐标原点分布; 以所述坐标原点作为所述圆形区域模板的初始圆心,得到第一个圆形区域; 按照所述初始圆心的距离从近到远顺序将每组所述测量点30作为当前处理组,针对所述当前处理组,将所述圆形区域的圆心分别移动至将所述当前处理组的各个所述测量点30的圆心,得到多个圆形区域,所述多个圆形区域均在所述晶锭范围内。
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