长江存储科技有限责任公司尹朋岸获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119730247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411960169.1,技术领域涉及:H10B41/50;该发明授权三维存储结构是由尹朋岸;胡思平设计研发完成,并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储结构在说明书摘要公布了:本申请提供了一种三维存储结构。该三维存储结构包括:衬底,包括第一功能区;第一导电结构,设置于所述衬底上并与所述第一功能区电连接,用于实现所述三维存储结构的使用功能;第一垂直互连通道,电连接地设置于所述第一导电结构上;第二垂直互连通道,与所述第一垂直互连通道在电化学反应中具有相同的电位。
本发明授权三维存储结构在权利要求书中公布了:1.一种三维存储结构,其特征在于,包括: 衬底,包括第一功能区和保护区,所述保护区在平行于所述衬底的方向上至少部分包围所述第一功能区; 堆叠结构,设置在所述衬底上; 沟道结构,贯穿所述堆叠结构并连接至所述第一功能区,所述沟道结构与所述保护区隔离; 第一导电结构,设置于所述衬底上并与所述第一功能区连接; 第一垂直互连通道,设置于所述第一导电结构背离所述衬底的一侧并与所述第一导电结构连接;以及 第二垂直互连通道,位于所述衬底上并与所述保护区连接,所述第二垂直互连通道与所述第一垂直互连通道至少包括部分相同的导电材料。
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