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龙图腾网获悉重庆理工大学申请的专利硅基分模器的设计方法及硅基分模器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411938985.2，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权硅基分模器的设计方法及硅基分模器是由冯文林;黄灏;刘相志;杨晓占;卢翔孟;崔大健设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基分模器的设计方法及硅基分模器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基分模器的设计方法，基于绝缘体上硅平台上的总线波导、支线波导和位于总线波导与支线波导之间的功能区域，支线波导的数量为n条且根据总线波导的输入模式和输入带宽的线性组合数量进行确定，对总线波导、支线波导和功能区域的初始结构进行定义；利用FDTD求解器，每次迭代需要进行m次前向仿真和m次伴随仿真；计算梯度场并根据梯度场计算结果结合梯度下降法优化功能区域介电常数参数，更新结构；持续迭代，达到设计目标或者无法继续优化时，停止迭代；对离散的介电常数进行二值化处理，将功能区域的介电常数转化为只有功能区域定义的结构；输出最终结构图。本发明还公开了一种通过上述设计方法设计的硅基分模器。

本发明授权硅基分模器的设计方法及硅基分模器在权利要求书中公布了：1.一种硅基分模器的设计方法，其特征在于：包括以下步骤： 1基于绝缘体上硅平台上的总线波导、支线波导和位于总线波导与支线波导之间的功能区域，支线波导的数量为n条且根据总线波导的输入模式和输入带宽的线性组合数量进行确定，对总线波导、支线波导和功能区域的初始结构进行定义，对总线波导、支线波导和功能区域的初始结构进行定义包括总线波导和支线波导的宽度、相邻两根支线波导之间的间距、功能区域的形状大小以及功能区域的设计材料和背景材料； 2利用FDTD求解器，每次迭代需要进行m次前向仿真和m次伴随仿真，m等于n； 3计算梯度场并根据梯度场计算结果结合梯度下降法优化功能区域介电常数参数，更新结构； 其中梯度场计算包括：通过伴随方法计算目标函数FOM相对于介电常数的梯度，目标函数FOM定义为： ； 式中，λ1和λ2分别表示目标带宽的最小和最大波长，i表示所支持的当前入射光源下的输出波导的序号，TcurTi表示以当前通道所支持的光源为输入时的归一化传输效率； FOM相对于介电常数分布的梯度表示为： ； 式中，为通过相位因子调整反向场得到的伴随场，为通过正向仿真得到正向传播的电场，下标x表示计算出的功能区域的第x个元素； 4持续迭代，达到设计目标或者无法继续优化时，停止迭代； 5对离散的介电常数进行二值化处理，将功能区域的介电常数转化为只有步骤1中功能区域定义的结构； 6输出最终结构图。

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