拓荆科技(上海)有限公司朱涛获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种薄膜沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411863022.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种薄膜沉积装置及方法是由朱涛;赵坤;牛新平;吴凤丽;李连杰设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜沉积装置及方法。一种薄膜沉积装置包括：气源，用于提供薄膜沉积工艺所需的至少一种气体；工艺腔室，用于容纳待加工的半导体器件，并经由所述至少一种气体，在所述半导体器件的表面沉积薄膜；以及稳流模块，位于所述气源与所述工艺腔室之间，并包括气室、磁体定子及螺旋叶片转子。通过采用上述稳流模块，本发明可以控制阀门输出端的压力恒定，从而使流入工艺腔室中的反应气体流速和或压力保持恒定，以提升薄膜沉积质量。
本发明授权一种薄膜沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括： 气源，用于提供薄膜沉积工艺所需的至少一种气体； 工艺腔室，用于容纳待加工的半导体器件，并经由所述至少一种气体，在所述半导体器件的表面沉积薄膜；以及 稳流模块，位于所述气源与所述工艺腔室之间，并包括气室、磁体定子及螺旋叶片转子，其中，所述磁体定子环绕所述气室的侧壁，所述螺旋叶片转子在所述磁体定子的磁力作用下悬浮于所述气室内部，并在所述气室的输出气压小于预设的目标气压时旋转，以将所述气室中的剩余气体推向所述气室的出气端来补偿所述输出气压。
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