北京科技大学;北京科技大学顺德创新学院常月获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学;北京科技大学顺德创新学院申请的专利一种提高半导体光电化学阴极保护耐蚀性差金属的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411537723.5，技术领域涉及：C23F13/02；该发明授权一种提高半导体光电化学阴极保护耐蚀性差金属的方法是由常月;骆鸿;李泽君设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高半导体光电化学阴极保护耐蚀性差金属的方法在说明书摘要公布了：一种提高半导体光电化学阴极保护耐蚀性差金属的方法，涉及金属材料腐蚀与防护领域。此方法针对光电化学阴极保护技术中半导体光生电子难以传输至耐蚀性差金属表面的问题，包括以下步骤：有机涂层的制备、半导体光阳极的制备以及光电化学阴极保护技术的实现。该方法可调控耐蚀性差金属的自腐蚀电位，促进半导体光生电子向金属传输，实现光电化学阴极保护技术用于耐蚀性差金属。该方法简单、有效、易于操作，有望拓展光电化学阴极保护技术的应用范围，并提高该技术对金属的防护效率和防护时间。
本发明授权一种提高半导体光电化学阴极保护耐蚀性差金属的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光电化学阴极保护耐蚀性差的金属的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1有机树脂的制备： 在耐蚀性差金属表面制备有机涂层并预留不覆盖有机涂层的位置，有机涂层室温固化，在耐蚀性差金属的表面形成具有物理屏蔽作用的有机涂层保护膜；耐蚀性金属表面顶部预留不覆盖有机涂层的位置，用于铜导线连接； 2半导体光阳极的制备： 以导电材料为衬底，在导电衬底上制备半导体薄膜，并在顶部预留不覆盖半导体薄膜的位置； 3光电化学阴极保护： 采用铜制导线连接光阳极和耐蚀性差金属上预留的不覆盖有机涂层的位置，建立半导体与耐蚀性差金属之间的电子传输通道，利用太阳光或模拟太阳光直接照射半导体光阳极，促使半导体产生光生电子；进而实现半导体光阳极对耐蚀性差金属的光电化学阴极保护。
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