中芯国际集成电路制造(上海)有限公司江春珂获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种光学临近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310737405.2，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种光学临近修正方法是由江春珂设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学临近修正方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光学临近修正方法，所述方法包括：提供目标图形，所述目标图形包括若干个呈阵列分布的第一子图形，所述第一子图形包括长方形，所述长方形包括沿水平方向的短边和沿竖直方向的长边；基于所述目标图形获取虚拟图形，将每个第一子图形的两条长边均向内移动ΔV距离以及将每个第一子图形的两条短边均向外移动ΔH距离，得到若干个第二子图形，所述若干个第二子图形为所述虚拟图形；基于所述虚拟图形进行光学临近修正，获得光罩图形。本申请提供一种光学临近修正方法，基于目标图形获取对应的虚拟图形，后续基于所述虚拟图形进行光学临近修正，获得光罩图形，在10nm及以下节点中仍然能够保证光学临近修正的准确度。
本发明授权一种光学临近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括： 提供目标图形，所述目标图形包括若干个呈阵列分布的第一子图形，所述第一子图形包括长方形，所述长方形包括沿水平方向的短边和沿竖直方向的长边； 基于所述目标图形获取虚拟图形，将每个第一子图形的两条长边均向内移动ΔV距离以及将每个第一子图形的两条短边均向外移动ΔH距离，得到若干个第二子图形，所述若干个第二子图形为所述虚拟图形； 基于所述虚拟图形进行光学临近修正，获得光罩图形； 所述ΔV满足以下条件： ； 其中，为光罩规则限制间距参数；为相邻第一子图形在水平方向的间距；为第一子图形的短边尺寸；为光罩规则限制宽度参数； 所述ΔH满足以下条件： ； 其中，为相邻第一子图形在竖直方向的间距；C为任意正数。
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