武汉敏声新技术有限公司周杰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏声新技术有限公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119135115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411240595.8，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法是由周杰;皮本松;邹杨;蔡耀;孙成亮;王世杰设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域。该薄膜体声波谐振器包括：衬底、依次设置在衬底上的下电极、压电层和上电极，上电极的边缘设有翼结构和桥结构；压电层上还设有与翼结构对应的第一增厚层和与桥结构对应的第二增厚层，第一增厚层和第二增厚层的侧面分别与上电极相贴合，第一增厚层背离压电层的表面与翼结构之间具有第一间隙，第一间隙内填充空气或设有第一牺牲层，第二增厚层背离压电层的表面与桥结构之间具有第二间隙，第二间隙内填充空气或设有第二牺牲层。该薄膜体声波谐振器有效地抑制了因为翼结构和桥结构抬起引入的非纵向电场，避免了非纵向电场在压电层内部激发的横向声波，从而提高了性能。
本发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的下电极、压电层和上电极，所述上电极的边缘设有翼结构和桥结构； 所述压电层上还设有与所述翼结构对应的第一增厚层和与所述桥结构对应的第二增厚层，所述第一增厚层和所述第二增厚层的侧面分别与所述上电极相贴合，所述第一增厚层背离所述压电层的表面与所述翼结构之间具有第一间隙，所述第一间隙内填充空气或设有第一牺牲层，所述第二增厚层背离所述压电层的表面与所述桥结构之间具有第二间隙，所述第二间隙内填充所述空气或设有第二牺牲层。
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