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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种用于氧化/烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119080518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411257889.1，技术领域涉及：C04B35/66；该发明授权一种用于氧化/烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法是由张雨雷;张浩辉;张建;陈睿聪;明致远设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于氧化/烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于氧化烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法，属于高温防护涂层制备技术领域。该方法如下：将碳基体材料放入化学气相沉积炉的反应室内，后抽真空处理，将过渡金属元素氯化物置于固态前驱体气化炉内，待化学气相沉积炉达到设定温度后，对过渡金属元素氯化物进行加热气化；加热SiCl4罐并向SiCl4罐中通入载气H2，向固态前驱体气化炉中通入载气H2，气化后的SiCl4和过渡金属元素氯化物被载气H2带入到混气罐中充分混合，后通入化学气相沉积炉的反应室中，通入氩气；在碳基体材料的表面进行沉积，沉积完成后关闭通入气体，在氩气保护下降温后随炉自然冷却至室温，获得硅化物高温陶瓷涂层。本发明采用化学气相沉积技术，在SiCl4‑过渡金属元素氯化物‑H2‑Ar这一特定的沉积体系下制备硅化物陶瓷防护涂层。

本发明授权一种用于氧化/烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于氧化烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层，其特征在于，所述硅化物高温陶瓷涂层采用SiCl4-过渡金属元素氯化物-H2-Ar作为涂层沉积体系；以SiCl4作为Si源；过渡金属元素氯化物为TaCl5、HfCl4和ZrCl4中的一种，分别作为Ta源、Hf源和Zr源；TaCl5作为Ta源制备的硅化物高温陶瓷涂层为TaSi2；在大于1800℃的氧乙炔烧蚀环境下，所述TaSi2的硅化物高温陶瓷涂层形成熔融态的Ta2O5和致密玻璃相SiO2； HfCl4作为Hf源制备的硅化物高温陶瓷涂层为HfSi2；ZrCl4作为Zr源制备的硅化物高温陶瓷涂层为ZrSi2； 所述用于氧化烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层的制备方法，包括以下步骤： S1：将碳基体材料放入化学气相沉积炉的反应室内，后对化学气相沉积炉的反应室抽真空处理，将过渡金属元素氯化物置于固态前驱体气化炉内，待化学气相沉积炉达到设定温度后，对过渡金属元素氯化物进行加热气化； S2：加热SiCl4罐并向SiCl4罐中通入载气H2，向固态前驱体气化炉中通入载气H2，气化后的SiCl4和过渡金属元素氯化物被载气H2带入到混气罐中充分混合，后通入化学气相沉积炉的反应室中，通入氩气； S3：在碳基体材料的表面进行沉积，沉积完成后依次关闭H2、氩气、过渡金属元素氯化物的载气和SiCl4的载气，在氩气保护下降温后随炉自然冷却至室温，获得硅化物高温陶瓷涂层。

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