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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种高动态范围CMOS图像传感器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119052668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411030764.5，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权一种高动态范围CMOS图像传感器及其控制方法是由刘京京;王雨辰设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高动态范围CMOS图像传感器及其控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高动态范围CMOS图像传感器及其控制方法，图像传感器电路包括像素电路阵列、行控制电路和量化电路。方法包括：获取行控制信号；通过行控制信号对当前行像素进行曝光与读出处理，得到当前行像素的动态电信号；根据当前行像素的动态电信号，对当前行像素进行量化处理，输出具有亮度信息的数字码；根据数字码的最高位，对行控制电路中的所有移位寄存器进行移位操作，得到移位后的行控制信号对下一行像素进行曝光、读出与量化，同时计数器数字码从0计数，直至完成对所有行像素进行曝光、读出与量化。本申请实施例能够在不损失像素填充因子的情况下，大幅提高图像传感器的动态范围。本申请可以广泛应用于成像系统技术领域。

本发明授权一种高动态范围CMOS图像传感器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高动态范围CMOS图像传感器，其特征在于，图像传感器电路包括像素电路阵列、行控制电路和量化电路，所述像素电路阵列通过若干列信号总线与所述量化电路连接，所述像素电路阵列通过若干行控制线与所述行控制电路连接，所述行控制电路通过量化结束信号线与所述量化电路连接，所述像素电路阵列包括若干像素电路，所述像素电路包括光电二极管、复位晶体管、放大晶体管和行选通晶体管，所述像素电路阵列还包括光电二极管寄生电容，其中，所述光电二极管的阳极端接地，所述光电二极管的阴极端分别与所述复位晶体管的漏极、所述放大晶体管的栅极连接，所述复位晶体管的栅极与所述行选通晶体管的栅极连接并获取行控制信号，所述复位晶体管的源极与所述放大晶体管的漏极连接并接电源，所述放大晶体管的源极与所述行选通晶体管的漏极连接，所述行选通晶体管的源极与所述列信号总线连接，其中： 所述像素电路阵列用于接收光信号并将所述光信号转换为动态电信号； 所述行控制电路用于生成行控制信号并控制所述像素电路阵列的工作； 所述量化电路用于将所述动态电信号量化为数字码； 所述行控制电路包括若干移位寄存器和若干升压缓冲器，若干所述移位寄存器的D输入端与所述行控制电路中前一个移位寄存器的Q输出端连接，若干所述移位寄存器的时钟信号输入端相互连接并获取时钟输入信号，所述行控制电路的首端移位寄存器的复位信号输入端连接复位输入信号，所述移位寄存器的Q输出端与所述升压缓冲器的输入端连接，所述升压缓冲器的输出端输出所述行控制信号，其中： 所述移位寄存器用于产生移位脉冲信号； 所述升压缓冲器用于驱动所述复位晶体管的栅极电容和所述行选通晶体管的栅极电容； 当所述行控制信号为低电平时，所述复位晶体管打开对所述光电二极管寄生电容复位，所述行选通晶体管断开； 当所述行控制信号为高电平时，所述复位晶体管关断，所述光电二极管在光电效应下产生由阴极至阳极的电流，像素进行曝光操作，与此同时所述行选通晶体管打开，源极跟随所述放大晶体管的输出端被接通到列信号总线上，信号总线上的电平随所述光电二极管寄生电容上的电压下降而下降，像素输出电平被动态地读取到列信号总线上。

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