福建省晋华集成电路有限公司吴道初获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411162631.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构是由吴道初设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构性能难以提升的问题。该半导体结构包括：衬底，包括隔离结构以及该隔离结构定义的有源区；栅极沟槽，设置于衬底内；栅电极，位于栅极沟槽内，栅电极包括栅极半导体层；空隙，位于栅极沟槽内，至少一个空隙连接栅极半导体层。本申请中通过将空隙设置在栅极沟槽中，并使得至少一个空隙连接栅极半导体层，这样，可以在确保半导体结构的小尺寸的同时，提升半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括隔离结构以及该隔离结构定义的有源区； 栅极沟槽，设置于所述衬底内； 栅电极，位于所述栅极沟槽内，所述栅电极包括栅极半导体层； 多个空隙，位于所述栅极沟槽内，至少一个所述空隙的至少部分位于所述栅极半导体层中； 所述栅极半导体层包括相邻的第一侧边和第二侧边，分别以所述第一侧边的端点、所述第一侧边的中点以及所述第二侧边的中点围设形成为三角形区域，所述第一侧边的端点为所述第一侧边和所述第二侧边相接的端点； 所述至少一个所述空隙位于所述三角形区域中。
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