扬州扬杰电子科技股份有限公司代书雨获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种新型VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411023040.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种新型VDMOS及制备方法是由代书雨;周理明;王毅设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：一种新型VDMOS及制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备若干间隔的P体区；步骤S200，在P体区内制备若干间隔设置的N+源区和N+低阻区；步骤S300，在外延片上制备栅介质，并在N+源区和N+低阻区夹持的P体区上方的栅介质上制备多晶硅；步骤S400，在外延片上沉积隔离层，并分别在相邻的N+源区之间和N+源区与N+低阻区夹持的P体区上方开窗，制备S极电极和G极电极；步骤S500，在外延片底部制备D极电极，整个器件制备完毕。本发明的N+低阻区和N+源区是同一步骤制备，和目前商业化产品对比，不增加额外的工艺步骤，性价比高，有利于商业化推广。
本发明授权一种新型VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100，在外延片1内制备若干间隔的P体区2； 步骤S200，在P体区2内制备若干间隔设置的N+源区3和N+低阻区4； 步骤S300，在外延片1上制备栅介质5，并在N+源区3和N+低阻区4夹持的P体区2上方的栅介质5上制备多晶硅6； 步骤S400，在外延片上沉积隔离层7，并分别在相邻的N+源区3之间和N+源区3与N+低阻区4夹持的P体区2上方开窗，制备S极电极8和G极电极9； 步骤S500，在外延片底部制备D极电极10，整个器件制备完毕。
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