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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有齿状p-GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411004139.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有齿状p-GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管是由赵胜雷;曹创哲;张进成;宋秀峰;李道远;张嘎;于龙洋;郝跃设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有齿状p-GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管在说明书摘要公布了：一种具有齿状p‑GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、成核层、第一GaN缓冲层、源漏间p‑GaN埋层、第二GaN缓冲层、GaN层和AlGaN势垒层；所述AlGaN势垒层上两侧分别设有漏电极与源电极，AlGaN势垒层上靠近漏电极的一侧设有栅电极槽；第一GaN缓冲层与第二GaN缓冲层的相对的一面分布有齿状凸起及与凸起相适配的凹槽，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层间的齿状的源漏间p‑GaN埋层，能改善器件栅漏之间、栅源之间、源漏之间的电场分布，降低平均电场大小，相较于以往的方法本发明对电场缓解效果更优，增大了器件的击穿电压，使器件更难被击穿；另外，通过刻蚀栅下方区域的势垒层形成栅电极槽，在栅电极槽上方淀积p‑GaN层，在栅电极槽p‑GaN层与栅电极之间生长栅介质层来获得高的阈值电压与大电流，减少器件的栅漏电，同时提升栅的耐压能力，提升器件的开关速度，提升器件工作的可靠性。

本发明授权一种具有齿状p-GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有齿状p-GaN埋层的凹槽MIS结构晶体管，包括自下而上依次设置的衬底1、成核层2、第一GaN缓冲层3、源漏间p-GaN埋层4、第二GaN缓冲层5、GaN层6和AlGaN势垒层7；其特征在于，所述AlGaN势垒层7上两侧分别设有漏电极13与源电极12，AlGaN势垒层7上靠近漏电极13的一侧设有栅电极槽8，栅电极槽8内设置有自下而上设置的p-GaN层9、栅介质层10和栅电极11；第一GaN缓冲层3与第二GaN缓冲层5的相对的一面分布有齿状凸起及与凸起相适配的凹槽，源漏间p-GaN埋层4位于第一GaN缓冲层3与第二GaN缓冲层5之间，且源漏间p-GaN埋层4与第一GaN缓冲层3及第二GaN缓冲层5的接触面的形状相适配。

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