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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种碳化硅纤维烧结陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118754692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410976603.9，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种碳化硅纤维烧结陶瓷及其制备方法是由王松;许志明;尹森虎;余艺平;李伟设计研发完成，并于2024-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅纤维烧结陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅纤维烧结陶瓷及其制备方法，该碳化硅纤维烧结陶瓷包含六棱柱状碳化硅纤维和石墨界面层，其中石墨层均匀填充在六棱柱状碳化硅纤维中间，两者形成完全致密结构。所述制备方法主要包括两步：首先通过原位自生技术在碳化硅纤维表面制备石墨界面层；然后将带有石墨层的碳化硅纤维在石墨模具中铺排，并在惰性气氛中进行热压烧结，最终得到所述碳化硅纤维烧结陶瓷。该碳化硅纤维烧结陶瓷具有纤维含量高、致密度高、强度高等特性，该制备方法具有工艺简单可控、成本低等特点，发展前景广阔。

本发明授权一种碳化硅纤维烧结陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅纤维烧结陶瓷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、以碳化硅纤维为原料，采用原位自生技术在碳化硅纤维表面制备石墨层； 所述碳化硅纤维为一维结构、二维平纹织物、二维缎纹织物中的一种； 所述原位自生技术为：在高温真空炉中对碳化硅纤维进行高温热处理，温度1600～2000℃，时间5～30min，真空度10-3～1Pa，使其发生高温分解反应，从而在碳化硅纤维表面原位制备石墨层；所述石墨层的厚度为100～500nm； S2、将上述带有石墨层的碳化硅纤维在石墨模具中铺排，经热压烧结，温度1600～2000℃，压力30～80MPa，时间10～100min，烧结气氛为氩气，得到碳化硅纤维烧结陶瓷，所述的碳化硅纤维烧结陶瓷为高碳化硅含量、完全致密结构，包含六棱柱状碳化硅纤维和石墨界面层，所述的碳化硅纤维烧结陶瓷中碳化硅纤维的体积含量为90-98％，密度达到3.10-3.20gcm3，气孔率低于1％，碳化硅纤维烧结陶瓷的弯曲强度为310-328MPa、断裂韧性为9.1-10.1MPa·m12、断裂功为1104-1221J·m-2。

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