上海华虹宏力半导体制造有限公司戴若凡获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利射频开关及射频终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118590046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410855748.3，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权射频开关及射频终端是由戴若凡;何军设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频开关及射频终端在说明书摘要公布了：一种射频开关及射频终端。所述射频开关包括：射频端口；天线端口；天线电路；信号传输支路，位于所述射频端口及所述射频接地端口之间或者位于所述射频端口及所述天线端口之间，用于控制传输射频信号；其中，所述信号传输支路包括两个以上级联的开关管单元及公共偏置电阻，其中，所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口中至少一端的至少一级的开关管单元与所述公共偏置电阻的第二端连接，其它开关管单元与所述公共偏置电阻的第一端连接；所述公共偏置电阻的第二端为所述公共偏置电阻远离所述射频端口的一端。采用上述方案，可以改善射频开关的ESD窗口效应。
本发明授权射频开关及射频终端在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，包括： 射频端口； 天线端口； 天线电路； 信号传输支路，位于所述射频端口及射频接地端口之间或者位于所述射频端口及所述天线端口之间，用于控制传输射频信号及作为静电泄放通路； 其中，所述信号传输支路包括两个以上级联的开关管单元及公共偏置电阻，所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口中至少一端的至少一级的开关管单元与所述公共偏置电阻的第二端连接，其它开关管单元与所述公共偏置电阻的第一端连接；所述输入端口为射频端口，所述输出端口为射频接地端口或天线端口； 所述公共偏置电阻的第二端为所述公共偏置电阻远离所述射频端口的一端； 所述开关管单元，包括：NMOS管、栅极偏置电阻、通路电阻以及体极偏置二极管；其中，所述栅极偏置电阻的一端与所述NMOS管的栅极连接；所述通路电阻的一端与所述NMOS管的漏极连接，另一端与所述NMOS管的源极连接；所述体极偏置二极管与所述NMOS管的衬底连接；所述栅极偏置电阻的另一端与所述公共偏置电阻连接。
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