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龙图腾网获悉天通瑞宏科技有限公司申请的专利一种声表面波谐振器及滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118041286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410176578.6，技术领域涉及：H03H9/25；该发明授权一种声表面波谐振器及滤波器是由张玲琴;毕秀文;沃基·特梅斯根·贝利设计研发完成，并于2024-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声表面波谐振器及滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声表面波谐振器及滤波器，该声表面波谐振器包括衬底；多个叉指电极组，位于衬底一侧，叉指电极组包括第一电极和第二电极，第一电极以及第二电极沿第一方向排列，且均沿第一方向延伸；沿第一方向，第一电极与第二电极之间包括间隙；多个负载结构组，位于衬底一侧且位于间隙内，负载结构组包括沿第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触；第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不同。采用上述手段，通过设置负载结构组能够抑制横向模，提高谐振器的Q值。

本发明授权一种声表面波谐振器及滤波器在权利要求书中公布了：1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括： 衬底； 多个叉指电极组，位于所述衬底的一侧，所述叉指电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极以及所述第二电极沿第一方向排列，且均沿所述第一方向延伸，所述第一电极的延伸长度小于所述第二电极的延伸长度；沿所述第一方向，所述第一电极与所述第二电极之间包括间隙；所述第一方向与所述衬底所在平面平行； 多个负载结构组，位于所述衬底的一侧且位于所述间隙内，所述负载结构组包括沿所述第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，所述第一负载结构与所述第一电极接触，所述第二负载结构与所述第二电极接触；所述第一负载结构以及所述第二负载结构均包括沿所述第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个所述子负载结构和与所述子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同； 其中，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；所述第一子负载结构的密度小于所述第一电极的密度，所述第二子负载结构的密度大于所述第一电极的密度； 所述第二负载结构包括第三子负载结构和第四子负载结构，所述第三子负载结构分别与所述第二电极以及所述第四子负载结构接触；所述第三子负载结构的密度小于所述第二电极的密度，所述第四子负载结构的密度大于所述第二电极的密度。

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