广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张书明获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117748292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211112921.8，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法是由张书明;冯美鑫;孙钱设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法。所述的方法包括：对氮化镓激光器的外延结构进行加工，以将其中的接触层、第二光学限制层和第二波导层部分去除，从而形成脊型结构；在第二波导层表面位于所述脊型结构周围的至少部分区域上设置高折射率薄膜，以形成反波导结构。本申请通过在氮化镓激光器中形成所述的反波导结构，可以实现对脊型结构以外区域有效折射率的调制，为脊型结构与其以外区域的有效折射率差的调制提供了一种有效手段，进而通过调整该有效折射率差的大小，能够抑制更多高阶模式的产生，减小光束质量M2因子，显著改善氮化镓激光器的光斑质量。
本发明授权一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反波导改善氮化镓激光器横向模式的方法，其特征在于，包括： 提供氮化镓激光器的外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次层叠的第一光学限制层、第一波导层、发光有源层、第二波导层、第二光学限制层和接触层； 对所述外延结构进行加工，以将所述接触层、第二光学限制层和第二波导层部分去除，从而形成所述氮化镓激光器的脊型结构，所述脊型结构的高度小于所述接触层、第二光学限制层和第二波导层的厚度之和； 在所述第二波导层表面位于所述脊型结构周围的至少部分区域上设置高折射率薄膜，所述高折射率薄膜的折射率大于脊型结构的折射率，以形成反波导结构。
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